具有电诱导源/漏扩展的纳米级SOI-MOSFET：抑制短沟道效应的新特性与设计考虑
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
本文介绍了沟道长度低于100 nm、具有电诱导浅源/漏结的SOI MOSFET的设计考虑。我们的仿真结果表明，将电诱导源/漏扩展应用于SOI MOSFET将成功控制短沟道效应，并提高击穿电压，即使对于沟道长度小于50 nm的情况也是如此。我们得出结论，如果侧栅长度等于主栅长度，热电子效应将得到最优抑制。
引用
@article{arxiv.1010.3487,
title = {Nanoscale SOI-MOSFETs with Electrically Induced Source/Drain Extension: Novel attributes and Design considerations for Suppressed Short-channel Effects},
author = {Ali A. Orouji and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3487},
year = {2015}
}