MOSFET I-V 特性的紧凑建模及剂量相关漏极电流仿真
介观与纳米尺度物理
2017-02-22 v1 空间物理
摘要
我们提出了一种紧凑的 MOSFET 模型，该模型使我们能够在不同测量温度和界面陷阱密度下，描述辐照后长沟道和短沟道晶体管在所有工作模式下的 I-V 特性。该模型能够在同等基础上仿真辐照后 MOSFET 的关态和开态漏极电流。特别是，我们采用了一种新颖的 n-MOSFET 回弹效应紧凑模型，来仿真高度缩放的 60 nm 节点电路在辐照剂量高达 1Grad 时漏极电流的总剂量依赖性。模型参数集与 BSIM 的兼容性以及模型方程的单一闭合形式，意味着其可以轻松实现到标准 CAD 工具中。
引用
@article{arxiv.1702.06454,
title = {Compact Modeling of MOSFET I-V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents},
author = {G. I. Zebrev and V. V. Orlov and A. S. Bakerenkov and V. A. Felitsyn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.06454},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 7 figures