单层石墨烯FET漏电流可变性的物理基础紧凑建模
介观与纳米尺度物理
2025-06-05 v1 计算物理
摘要
对于新兴石墨烯场效应晶体管（GFET）技术的发展，需要对晶圆上的可变性进行全面表征。这里，我们首次报道了一种物理基础的紧凑模型，能够精确描述单层GFET的漏电流（ID）波动。已知在晶体管中产生1/f噪声的物理机制，如载流子数量和库仑散射迁移率波动，也被发现会导致ID方差。这些效应通过在沟道中局部激活并在模型中考虑，其从源极到漏极的贡献积分得到总方差。所提出的模型在统计上对三个不同尺寸的溶液栅（SG）GFET群体进行了实验验证，覆盖了从强p型到强n型偏压条件。还推导了一个串联电阻ID方差模型，主要在高载流子密度下起作用。
引用
@article{arxiv.2506.03732,
title = {Physics-Based Compact Modeling for the Drain Current Variability in Single-Layer Graphene FETs},
author = {N. Mavredakis and A. Pacheco-Sanchez and R. Garcia Cortadella and Anton-Guimerà-Brunet and J. A. Garrido and D. Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.03732},
year = {2025}
}