石墨烯场效应晶体管漏极电流、电荷与电容的显式模型
介观与纳米尺度物理
2012-01-04 v1
摘要
我提出一个基于物理的紧凑模型，用于描述石墨烯场效应晶体管的漏极电流、电荷与电容，该模型对探索基于石墨烯电路的直流、交流及瞬态行为具有重要意义。其物理框架为场效应模型与包含速度饱和效应的漂移-扩散载流子输运。首先，推导出漏极电流的显式模型。以此为基础，基于 Ward-Dutton 分区方案，导出了覆盖所有工作区域的电荷与电容的显式闭式表达式。该模型对于可能无需对石墨烯进行带隙工程的模拟与射频应用尤为值得关注。
引用
@article{arxiv.1105.2734,
title = {Explicit drain current, charge and capacitance model of graphene field-effect transistors},
author = {David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2734},
year = {2012}
}
备注
18 pages, 5 figures