基于泰勒级数近似的GFET输出电阻特性模型
介观与纳米尺度物理
2025-06-13 v1 应用物理
摘要
本文对石墨场效应器（GFET）的漏极-源极或输出电阻的迁移率衰减模型进行了泰勒级数近似线性化处理。这种简化在栅极电压不显著高于狄拉克电压时被证明有效，从而实现对传递导数参数、与剩余电荷相关的电压以及与偏置无关的串联电阻的解析求解。进一步地，当将提取的参数代入模型后，可实现该器件静态响应的连续表示，无论其传递特性相对于狄拉克电压的对称性如何。
引用
@article{arxiv.2506.10592,
title = {A Taylor Series Approximation Model for Characterizing the Output Resistance of a GFET},
author = {Xiomara Ribero-Figueroa and Anibal Pacheco-Sanchez and Tzu-Jung Huang and David Jiménez and Ivan Puchades and Reydezel Torres-Torres},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.10592},
year = {2025}
}