垂直隧穿石墨烯异质结场效应晶体管的建模
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
通过自洽量子输运模拟，对基于石墨烯异质结与hBN层的垂直隧穿场效应晶体管进行了仿真。研究发现，非对称的p型和n型导电源于石墨烯接触与隧穿沟道材料之间的功函数差异。底栅石墨烯接触的调制在决定器件的开关特性中起着重要作用。由于垂直FET结构引起的静电短沟道效应，输出I-V特性未出现饱和。研究了垂直FET随栅绝缘体厚度和隧穿沟道材料厚度的缩放行为。
关键词
引用
@article{arxiv.1206.5077,
title = {Modeling of a vertical tunneling graphene heterojunction field-effect transistor},
author = {S. Bala Kumar and Gyungseon Seol and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5077},
year = {2015}
}
备注
http://dx.doi.org/10.1063/1.4737394