基于异质石墨烯纳米带的隧穿场效应晶体管性能提升
介观与纳米尺度物理
2013-12-13 v1
摘要
提出并研究了一种基于扶手椅型石墨烯纳米带的异质结隧穿场效应晶体管，采用了基于三维实空间非平衡格林函数形式的弹道量子输运模拟。通过使用低带隙纳米带作为源/漏材料，与同质结构相比，该异质结构表现出更好的性能，包括更高的导通电流、更低的关断电流以及改善的陡峭亚阈值摆幅。研究还发现，器件性能极大地依赖于源/漏掺杂浓度。高掺杂浓度会导致源极中的态密度减少，从而降低器件性能。
引用
@article{arxiv.1312.3391,
title = {Improved Performance of Tunneling FET Based on Hetero Graphene Nanoribbons},
author = {Fei Liu and Xiaoyan Liu and Jinfeng Kang and Yi Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3391},
year = {2013}
}
备注
3 pages, 5 figures