基于石墨烯的自旋场效应晶体管
材料科学
2007-07-23 v1
摘要
本文提出了一种利用石墨烯纳米带作为沟道的自旋场效应晶体管（FET）。与传统的自旋 FET 类似，该器件涉及使用铁磁金属作为源极和漏极，它们依次连接到石墨烯沟道。由于碳基材料中的自旋 - 轨道耦合可忽略不计，偏压可以通过电控制电子与附着在源漏之间纳米带上的铁磁介电层的交换相互作用来实现自旋操纵。数值估算表明，如果偏压使交换相互作用改变约 5 meV，则基于石墨烯的自旋 FET 是可行的。研究还表明，特定宽度的扶手椅型纳米带能够保持电子色散律中的狄拉克点，从而提供器件对热弥散的稳定性。
引用
@article{arxiv.0707.2966,
title = {Graphene based spin field effect transistor},
author = {Y. G. Semenov and K. W. Kim and J. M. Zavada},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.2966},
year = {2007}
}
评论
7 pages, 2 figures