用于向石墨烯进行动态自旋注入的宽带片上激发
介观与纳米尺度物理
2018-10-30 v1
摘要
石墨烯是自旋输运的理想材料，因为即使在室温下也能实现极长的自旋弛豫时间和弛豫长度。然而，由于电导率失配问题，电学自旋注入具有挑战性。由铁磁共振驱动的自旋泵浦是一种规避该问题的简洁方法，因为它在无电荷电流的情况下产生纯自旋流。在此，我们展示了在微米尺度器件中向单层石墨烯的自旋泵浦。利用宽带片上射频电流线使微米尺度的坡莫合金（NiFe）焊盘达到具有磁场可调共振条件的铁磁共振。在共振时，自旋流被发射到石墨烯中，并由邻近的铂电极中的逆自旋霍尔电压检测。在 2 GHz 至 8 GHz 的频率范围内，低至几毫瓦功率下均可检测到清晰的自旋流信号。这种紧凑的器件方案为更复杂的器件结构铺平了道路，并允许对新型材料进行研究。
引用
@article{arxiv.1806.09356,
title = {Wideband and on-chip excitation for dynamical spin injection into graphene},
author = {D. I. Indolese and S. Zihlmann and P. Makk and C. Jünger and K. Thodkar and C. Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.09356},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 4 figures