石墨烯纳米带场效应晶体管的电流 - 电压特性
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
我们提出了一种基于异质结构的场效应晶体管分析器件模型，该结构由纳米带阵列组成，夹在高导电衬底（背栅）与控制源漏电流的顶栅之间。石墨烯纳米带场效应晶体管 (GNR-FET) 的模型方程包含了弱非局域近似下的泊松方程。利用该模型，我们得出了沿沟道的电势空间分布以及 GNR-FET 电流 - 电压特性（即源漏电流对漏极电压以及背栅和顶栅电压的依赖关系）的显式解析公式，适用于不同的器件几何参数。研究表明，缩短顶栅会导致 GNR-FET 电流 - 电压特性的显著改变。
引用
@article{arxiv.0801.1543,
title = {Current-voltage characteristics of a graphene nanoribbon field-effect transistor},
author = {V. Ryzhii and M. Ryzhii and A. Satou and T. Otsuji},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.1543},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 8 figures