利用氮空位显微镜对金刚石上的石墨烯场效应晶体管成像
介观与纳米尺度物理
2019-08-14 v1 材料科学
应用物理
摘要
基于金刚石中氮空位（NV）传感器系综的成像技术用于表征电子器件的方案已被提出，但NV传感与工作状态下栅控器件的兼容性仍很大程度上未被探索。在此，我们直接在金刚石表面制备石墨烯场效应晶体管（GFETs），并通过NV显微镜对其进行表征。在主要为p型与n型掺杂下，由NV磁力测量重构了栅控石墨烯中的电流密度，但发现确切掺杂水平受测量影响。此外，我们在NV光致发光与NV电测量中观察到施加栅极电势下金刚石表面电场的意外大幅调制，表明氧化物-石墨烯-金刚石结构具有复杂的静电响应。讨论了缓解这些影响的可能方案。
引用
@article{arxiv.1905.12873,
title = {Imaging graphene field-effect transistors on diamond using nitrogen-vacancy microscopy},
author = {Scott E. Lillie and Nikolai Dontschuk and David A. Broadway and Daniel L. Creedon and Lloyd C. L. Hollenberg and Jean-Philippe Tetienne},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.12873},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 9 figures