石墨烯纳米带场效应晶体管的高频特性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们提出了一种石墨烯纳米带场效应晶体管(GNR-FET)的分析器件模型。所考虑的GNR-FET基于一种异质结构，该结构由夹在高导电衬底(背栅)和用于控制直流与交流源漏电流的顶栅之间的纳米带阵列组成。利用所建立的模型，我们推导出了GNR-FET跨导作为信号频率、电子碰撞频率和顶栅长度函数的显式解析公式。还考虑了从弹道输运到强碰撞电子输运的转变。
引用
@article{arxiv.0807.4347,
title = {High-Frequency Properties of a Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor},
author = {M. Ryzhii and A. Satou and V. Ryzhii and T. Otsuji},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4347},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 7 figures