单片图案化宽-窄-宽全石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2011-12-14 v5
摘要
我们从理论上研究了全石墨烯纳米带场效应晶体管（GNRFET）的性能优势，其沟道和源/漏（接触）区域是从二维单层石墨烯片上单片图案化而成的。在我们的模拟器件中，源/漏和互连区域由呈半金属性的宽石墨烯纳米带（GNR）部分组成，而沟道区域则由打开半导体带隙的窄 GNR 部分组成。我们的模拟采用基于紧束缚理论的器件、接触和界面区域的完全原子模型。电子结构与自洽的三维泊松方程耦合以捕捉非平凡的接触静电学，并结合基于非平衡格林函数（NEGF）的量子动力学输运公式。尽管我们只考虑了一种特定的器件几何结构，但我们的结果确立了此类单片器件的几个通用性能优势（除了与制造和图案化相关的优势之外），即改进的静电学、抑制的短沟道效应以及窄-宽界面处的欧姆接触。
引用
@article{arxiv.0809.3756,
title = {Monolithically Patterned Wide-Narrow-Wide All-Graphene Devices},
author = {Dincer Unluer and Frank Tseng and Avik W. Ghosh and Mircea R. Stan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3756},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 11 figures, 2 tables