石墨烯纳米带场效应晶体管的模拟
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
我们提出了石墨烯纳米带场效应晶体管 (GNR-FETs) 的原子级三维模拟，该模拟基于非平衡格林函数形式下的紧束缚哈密顿量，并在开放边界条件下自洽求解三维 Poisson 方程和 Schroedinger 方程。与碳纳米管场效应晶体管相比，GNR-FETs 表现出相当的性能，对沟道手性变化的敏感性降低，但由于带间隧穿而存在类似的泄漏问题。可接受的晶体管性能要求有效的纳米带宽度为 1-2 nm，这可以通过周期性刻蚀图案或应力图案来实现。
引用
@article{arxiv.0704.1875,
title = {Simulation of Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors},
author = {G. Fiori and G. Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.1875},
year = {2009}
}