多层石墨烯纳米带作为晶体管沟道材料的预期性能优势
介观与纳米尺度物理
2009-12-14 v1 其他凝聚态物理
摘要
本文评估了多层石墨烯纳米带（GNR）场效应晶体管（FET）的性能极限，并将其与单层 GNR FET 和碳纳米管（CNT）FET 进行了比较。结果表明，在具有薄的高 k 栅极绝缘层且层间耦合减弱的情况下，多层 GNR FET 在弹道导通电流方面，能够显著优于具有相似栅极和带隙的 CNT 对应器件。在石墨烯衍生纳米结构中，光学声子散射的平均自由程较短，在此散射存在的情况下，多层 GNR FET 的优势更为显著。模拟结果表明，具有非公度非 AB 堆叠和弱层间耦合的多层 GNR 是高性能 GNR FET 的最佳候选材料。
引用
@article{arxiv.0912.2140,
title = {Projected Performance Advantage of Multilayer Graphene Nanoribbon as Transistor Channel Material},
author = {Yijian Ouyang and Hongjie Dai and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2140},
year = {2009}
}
备注
22 pages, 6 figures