基于多层石墨烯纳米带和碳纳米管的非易失性闪存浮栅晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-08-12 v1
摘要
浮栅晶体管是非易失性闪存的基本构建模块，后者是现代微纳电子应用中最广泛使用的存储器件之一。近来，利用石墨烯纳米技术研发新一代存储器件引起了大量关注。本文中，我们提出了一种基于多层石墨烯纳米带(MLGNR)和碳纳米管(CNT)的新型浮栅晶体管(FGT)设计。在所提出的FGT中，多层石墨烯纳米带(GNR)结构用作场效应晶体管(FET)的沟道，一层CNT用作浮栅。我们分析了浮栅中的电荷积累机制及其对施加端电压的依赖关系。基于分析，我们观察到所提出的基于石墨烯的浮栅晶体管可比传统的基于硅的浮栅器件在更低的电压下工作。我们详细分析了所提FGT的操作以及编程和擦除过程、编程和擦除电流密度对不同参数的依赖关系、缩放控制氧化层和隧穿氧化层厚度的影响。这些分析基于器件的电容模型。
引用
@article{arxiv.1508.02579,
title = {Multilayer Graphene Nanoribbon and Carbon Nanotube based Floating Gate Transistor for Nonvolatile Flash Memory},
author = {Nahid M. Hossain and Masud H. Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.02579},
year = {2015}
}