基于少层 MoS2 的可调电荷陷阱存储器
材料科学
2014-07-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用高-\k 电介质材料的电荷陷阱存储器被认为是下一代存储器件的有力候选者。石墨烯和 MoS2 等超薄层状二维 (2D) 材料因其新颖的物理性质和在电子器件中的潜在应用而备受关注。在此，我们报道了一种双栅电荷陷阱存储器件，其由少层 MoS2 沟道和三维 (3D) Al2O3/HfO2/Al2O3 电荷陷阱栅堆叠组成。由于 HfO2 对电子和空穴具有非凡的捕获能力，该 MoS2 存储器件表现出超过 20 V 的前所未有的存储窗口。更重要的是，通过背栅，窗口尺寸可在 15.6 至 21 V 之间有效调节；编程/擦除电流比可达 104，远超基于 Si 的闪存，从而实现了多位信息存储。此外，该器件显示出 170 cm2V-1s-1 的高迁移率、数百次循环的良好耐久性，以及 10 年后约 28% 的电荷损失稳定保持率，这一数值远低于以往报道的 MoS2 闪存。二维材料与传统高-\k 电荷陷阱栅堆叠的结合，开启了新型非易失性存储器件这一令人兴奋的领域。
引用
@article{arxiv.1407.7432,
title = {Tunable charge-trap memory based on few-layer MoS2},
author = {Enze Zhang and Weiyi Wang and Cheng Zhang and Yibo Jin and Guodong Zhu and Qingqing Sun and David Wei Zhan and Peng Zhou and Faxian Xiu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7432},
year = {2014}
}
备注
18 pages, 5 figures