忆阻器中二维材料的大规模集成与优化
应用物理
2024-05-10 v1 材料科学
摘要
过渡金属二硫属化物（TMD）等二维（2D）材料已被证明是替代硅以提升多种技术性能的有力候选者。在此方面，剩余的两个挑战是 TMD 的晶圆级生长以及使用与超净间兼容的工艺将其集成到工作器件中。本文开发了两种不同的兼容 CMOS 的协议用于制造基于 MoS 的忆阻器，并比较了所得性能。通过拉曼光谱和 X 射线光电子能谱对每个工艺阶段 MoS 的质量进行了表征。在第一种协议中，MoS 的结构在转移和图形化过程中得到了保持。然而，MoS 表面残留了厚度至少为 3 nm 的聚合物层，限制了电学开关性能。在第二种协议中，污染层被完全去除，从而改善了电学开关性能和可重复性。基于物理化学和电学结果，从晶界传导的角度讨论了开关机制。
引用
@article{arxiv.2405.05693,
title = {Development and optimization of large-scale integration of 2D material in memristors},
author = {Clotilde Ligaud and Lucie Le Van-Jodin and Bruno Reig and Pierre Trousset and Paul Brunet and Michaël Bertucchi and Clémence Hellion and Nicolas Gauthier and Le Van-Hoan and Hanako Okuno and Djordje Dosenovic and Stéphane Cadot and Remy Gassilloud and Matthieu Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.05693},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 6 figures