基于双层 MoS2 晶体管的集成电路
介观与纳米尺度物理
2012-09-17 v1 材料科学
摘要
二维 (2D) 材料，如二硫化钼 (MoS2)，已展现出优异的电学和光学性能。MoS2 的半导体特性使其能够克服零带隙石墨烯的缺点，同时保留石墨烯在电子和光电子应用中的许多优势。由少层 MoS2 制成的分立电子和光电子元件，如场效应晶体管、传感器和光电探测器，显示出作为传统电子学中硅的替代品，以及作为泛在系统和显示应用中有机及非晶硅半导体的替代品的巨大潜力。下一个重要步骤是在 MoS2 上制造完全集成的多级电路和逻辑构建模块，以证明其在复杂数字逻辑和高频交流应用中的能力。本文展示了一种基于直接耦合晶体管逻辑技术的反相器、NAND 门、静态随机存取存储器和五级环形振荡器。这些电路由 2 到 12 个晶体管组成，无缝地并排集成在单层双层 MoS2 上。通过使用具有不同功函数的栅极金属，成功制备了增强型和耗尽型晶体管。
引用
@article{arxiv.1208.1078,
title = {Integrated Circuits Based on Bilayer MoS2 Transistors},
author = {Han Wang and Lili Yu and Yi-Hsien Lee and Yumeng Shi and Allen Hsu and Matthew Chin and Lain-Jong Li and Madan Dubey and Jing Kong and Tomas Palacios},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1078},
year = {2012}
}
备注
23 pages, 5 figures, Supplementary Information, Accepted for publication in Nano Letters