基于 MoS2/石墨烯异质结的非易失性存储单元
介观与纳米尺度物理
2013-03-21 v1
摘要
存储单元是数字电子学的重要构建模块。我们将半导体单层 MoS2 独特的电子特性与石墨烯的高导电性相结合，构建了一种能够进行信息存储的二维异质结。MoS2 在场效应晶体管构型中作为沟道，与石墨烯电极紧密接触。我们的原型全二维晶体管进一步与多层石墨烯电荷捕获层集成，形成一种可作为非易失性存储单元运行的器件。由于其带隙和二维特性，单层 MoS2 对电荷捕获层中的电荷高度敏感，导致存储编程态和擦除态之间存在 10000 倍的差异。接触和沟道的二维特性可用于制造具有大规模集成能力的柔性纳米电子器件。
引用
@article{arxiv.1303.4799,
title = {Nonvolatile Memory Cells Based on MoS2/Graphene Heterostructures},
author = {Simone Bertolazzi and Daria Krasnozhon and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4799},
year = {2013}
}
备注
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