基于二维范德华少层 ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的激光辅助多级非易失性存储器器件
材料科学
2020-09-02 v1 应用物理
摘要
设计并研究了一种少层 ReS2 场效应晶体管（FET），其采用单层石墨烯作为局域浮栅（FG），并由薄 h-BN 隧穿层隔开，用于非易失性存储器（NVM）器件。基于二维（2D）范德华（vdW）异质结构的浮栅非易失性存储器器件近来被研究作为实现数字电子与多功能存储应用的重要组件。直接带隙多层 ReS2 满足了作为电子器件沟道材料的多种要求，同时也是一种强吸光层，这使得实现光辅助光电子应用成为可能。我们观测到了具有高开关电流比、大存储窗口、良好耐受性（> 1000 次循环）和稳定保持特性（> 10^4 s）的非易失性存储操作。我们利用分别为 +10 V 和 -10 V 的 10 毫秒栅极脉冲演示了连续的编程与擦除状态。激光脉冲与静电栅极脉冲通过光-电耦合提供多比特级存储访问。该器件具备传统电子存储器的双重功能，并可存储激光脉冲激发的信号信息，用于未来的全光逻辑与量子信息处理。
引用
@article{arxiv.2009.00190,
title = {Laser-Assisted Multilevel Non-Volatile Memory Device Based on 2D van-der-Waals Few-layer-ReS2/h-BN/Graphene Heterostructures},
author = {Bablu Mukherjee and Amir Zulkefli and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Yutaka Wakayama and Shu Nakaharai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.00190},
year = {2020}
}
备注
43 pages