电气控制范德鲁赫层堆叠的成像研究
强关联电子
2025-11-26 v2
摘要
范德鲁赫(van der Waals, vdW)材料表现出可在低功率、低温条件下切换的多种状态,为固态量子信息处理的经典控制电子学提供了可行的低温"闪存"解决方案。在1T-TaS2中,可通过光学或电脉冲从绝缘平衡的电荷密度波基底状态诱导出一种非易失的金属"隐藏"态。鉴于常规忆阻器形成支撑电流的局部、纤维状通道,设计关乎高度能效1T-TaS2器件中导电区域的几何形状。本文报道了原位微束X射线衍射、荧光以及伴随输运测量,使我们能够对1T-TaS2通过电气开关诱导的非热隐藏态进行空间成像。我们的结果揭示了一种长程有序、非纤维状的切换态,其延伸至电极以下,表明隐藏相的自组织、集体生长是由电流和晶格应变共同驱动的。我们独特的技术组合展示了非破坏性、三维X射线成像研究宏观开关特性的潜力,即vdW层堆叠的电气控制。
引用
@article{arxiv.2411.04830,
title = {Imaging of electrically controlled van der Waals layer stacking in 1T-TaS2},
author = {Corinna Burri and Nelson Hua and Dario Ferreira Sanchez and Wenxiang Hu and Henry G. Bell and Rok Venturini and Shih-Wen Huang and Aidan G. McConnell and Faris Dizdarevic and Anze Mraz and Damjan Svetin and Benjamin Lipovsek and Marko Topic and Dimitrios Kazazis and Gabriel Aeppli and Daniel Grolimund and Yasin Ekinci and Dragan Mihailovic and Simon Gerber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.04830},
year = {2025}
}