二维异质结构中拓扑态的非易失铁电调控
材料科学
2020-12-30 v1
摘要
量子自旋霍尔（QSH）绝缘体材料具有拓扑保护的边缘态，可大幅降低耗散，对下一代电子学十分有用。然而，拓扑边缘态的非易失调控仍是一项挑战。本文基于第一性原理计算，发现由二维（2D）Bi(111)双层（BL）与 {\alpha}-In2Se3 组成的范德瓦耳斯（vdW）异质结构中，通过反转铁电体 {\alpha}-In2Se3 的电极化可实现可切换的拓扑态。该拓扑切换源于与 {\alpha}-In2Se3 两种相反极化态相关的不同电荷转移。这一新的拓扑切换机制具有完全电学调控与非易失的独特优势。我们的发现为实现二维材料中拓扑态的铁电调控提供了前所未有的途径，在拓扑纳米电子学应用中具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.2008.11465,
title = {Nonvolatile ferroelectric control of topological states in 2D heterostructures},
author = {Hua Bai and Xinwei Wang and Weikang Wu and Pimo He and Zhu'an Xu and Shengyuan A. Yang and Yunhao Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11465},
year = {2020}
}
备注
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