应变少层1T-TaS2中隐藏的电子相
介观与纳米尺度物理
2021-12-23 v1 材料科学
摘要
层状范德瓦耳斯材料令人振奋，因为它们常蕴含多种相互竞争的电子相。本文报道了在高质量少层1T-TaS2器件中，于公度电荷密度波相内部深处绝缘相与金属相共存现象的实验观测。通过对电子基态的详细电导涨落谱分析，我们确认该混合相由绝缘区域及其周围的一维金属畴壁构成。我们表明，1T-TaS2的电子基态可受应变剧烈影响，最终致使公度电荷密度波相中的莫特能隙崩塌。我们的研究解决了一个悬而未决的问题，即层间耦合强度对层状范德瓦耳斯材料电子相的影响。
引用
@article{arxiv.2112.11680,
title = {Hidden electronic phase in strained few-layer 1T-TaS2},
author = {Sruthi S and Hemanta Kumar Kundu and Prasad Vishnubhotla and Aveek Bid},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.11680},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 6 figures