一维电子通道中无扭折的电子结
强关联电子
2023-09-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文报道了在范德瓦耳斯层内一条明确的1纳米宽一维电子通道上，形成无任何结构不连续的类型A与类型B电子结。我们采用扫描隧道显微镜与谱学技术，研究在1T-TaS2电荷密度波相上形成的特殊畴壁的原子与电子结构。我们发现了沿畴壁具有带隙不连续的不同种类的突变电子结，这些结没有任何结构扭折与缺陷。我们的密度泛函计算揭示了一种电子结形成的新机制：它们是由下层中带有扭折的畴壁通过显著的电子层间耦合而形成的。该工作表明，层间电子耦合可作为调控二维原子单层数纳米尺度电子性质的有效旋钮。
引用
@article{arxiv.2309.01648,
title = {Kinkless electronic junction along one dimensional electronic channel},
author = {Qirong Yao and Jae Whan Park and Choongjae Won and Sang-Wook Cheong and Han Woong Yeom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.01648},
year = {2023}
}