堆叠与电场对层状 GaN 电子性质的影响
介观与纳米尺度物理
2013-02-22 v1 材料科学
摘要
在 van der Waals 密度泛函理论框架下，研究了 GaN 原子层的稳定性和电子性质。我们发现层状 GaN 的基态是平面类石墨烯构型，而非褶皱的类体构型。对层状 GaN 施加垂直外加电场会引起带隙可调性的显著堆叠依赖特征；对于 0.4 V/Å 的外加电场，单层的带隙不发生变化，而三层 GaN 的带隙则显著减小。这表明，在外加电场存在下，这种依赖于堆叠的带隙可调性可能会为基于层状 GaN 的器件带来新的应用。
引用
@article{arxiv.1302.5157,
title = {Stacking and electric field effects on the electronic properties of the layered GaN},
author = {Dongwei Xu and Haiying He and Ravindra Pandey and Shashi P. Karna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5157},
year = {2013}
}