三层石墨烯中堆叠依赖的带隙与量子输运
介观与纳米尺度物理
2012-01-23 v2 材料科学
强关联电子
摘要
在多层层状电子系统中，堆叠顺序为调控其电子性质提供了一个鲜有探索的自由度。本文展示了具有不同堆叠顺序的三层石墨烯(TLG)中截然不同的输运性质。在狄拉克点，ABA堆叠的TLG保持金属性，而ABC堆叠的TLG则变为绝缘体。后者在低温下表现出类似带隙的dI/dV特性，在较高温度下表现为热激活导电，表明存在约6 meV的本征带隙。在磁场中，除了填充因子ν=0处的绝缘态外，ABC TLG还表现出ν=-30、±18、±9处的量子霍尔平台，每个平台在更高磁场下分裂为3个分支。这种分裂是三角翘曲引起的Lifshitz转变的特征，仅存在于ABC TLG中，并与理论半定量吻合。我们的结果强调了不同堆叠顺序的三层石墨烯中丰富的相互作用诱导现象及其在电子应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.1103.6088,
title = {Stacking-Dependent Band Gap and Quantum Transport in Trilayer Graphene},
author = {W. Bao and L. Jing and Y. Lee and J. Velasco and P. Kratz and D. Tran and B. Standley and M. Aykol and S. B. Cronin and D. Smirnov and M. Koshino and E. McCann and M. Bockrath and C. N. Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.6088},
year = {2012}
}
备注
minor revision; published version