外延生长于 Ru(0001) 上的三层石墨烯的堆叠依赖电子性质
材料科学
2026-04-14 v1
摘要
通过低温扫描隧道显微镜与谱学结合紧束缚近似（TBA）计算，研究了Ru(0001)上三层石墨烯（TLG）的生长、原子结构与电子性质。由于底层两层的屏蔽效应和顶层两层的AB堆叠，Ru(0001)上的TLG呈现出具有六方晶格的平坦表面。底层两层中AA和AB堆叠的共存导致了TLG的三种不同堆叠序，即ABA、ABC和ABB堆叠。STS测量结合TBA计算揭示，具有ABC和ABB堆叠的TLG的态密度分别以费米能级附近一个和两个尖锐峰为特征，而与ABA堆叠TLG的V形特征形成对比。我们的工作表明，Ru(0001)上的TLG可能是探索石墨烯堆叠依赖电子性质的理想平台。
引用
@article{arxiv.1702.03045,
title = {Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)},
author = {Yande Que and Wende Xiao and Hui Chen and Dongfei Wang and Shixuan Du and Hong-Jun Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03045},
year = {2026}
}
备注
18 pages, 4 figures