悬浮与双栅三层石墨烯中的电输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v2
摘要
我们提出了一种高质量悬浮与双栅三层石墨烯器件的制备工艺。这些晶体管中的电输运测量显示出高载流子迁移率（高于 20000 cm^2/Vs）以及尺度大于 200nm 的弹道电输运。我们报道了 ABC 堆叠三层石墨烯中特别大的电流开关比，在平均电位移为 -0.08 V/nm 时高达 250，这与电场诱导的能隙相符。这些器件的高质量还体现在低至 500mT 的磁场下即出现量子霍尔平台。
引用
@article{arxiv.1112.2985,
title = {Electrical transport in suspended and double gated trilayer graphene},
author = {Thymofiy Khodkov and Freddie Withers and David Christopher Hudson and Monica Felicia Craciun and Saverio Russo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2985},
year = {2015}
}
备注
to appear in Applied Physics Letters. Typos corrected and references updated