双层石墨烯电场诱导带隙中的隙态分析
材料科学
2015-11-18 v1
摘要
双栅双层石墨烯场效应晶体管在室温下低电流开关比的原因被认为是隙态中的变程跳跃。然而，对隙态的定量估计尚未开展。本文中，我们报道了通过量子电容和输运测量对能隙的系统估计，以及通过电导法对隙态态密度的估计。在最大位移场 ~3.1 V/nm 下获得 ~250 meV 的能隙，其中在 20 K 下展示了 ~3*10^3 的电流开关比。隙态的态密度范围在 10^12 后半段至 10^13 eV^-1cm^-2。尽管目前 high-k 氧化物/双层石墨烯界面处大量的隙态限制了电流开关比，我们的结果表明，通过持续改进栅叠层将隙态降低至 ~10^11 eV^-1cm^-2 以下，使双层石墨烯成为未来纳米电子器件应用的有前途候选者。
引用
@article{arxiv.1511.05231,
title = {Gap state analysis in electric-field-induced band gap for bilayer graphene},
author = {Kaoru Kanayama and Kosuke Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05231},
year = {2015}
}