双层石墨烯pnp结中的量子输运与场诱导绝缘态
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v2 强关联电子
摘要
我们在带有悬浮顶栅的高质量双层石墨烯pnp结中进行了输运测量。在磁场 B=0 时，我们证明了通过施加垂直电场可以打开带隙，在 260mK 时开关比高达 20,000。在带隙内，电导随电场增加呈指数下降 3 个数量级，这可以通过具有栅极可调态密度、有效质量和定域长度的变程跳跃来解释。在强磁场 B 下，我们观察到具有分数值的量子霍尔电导，这源于差分掺杂区域之间边缘态的平衡，以及填充因子 {\nu}=0 处绝缘态的出现。我们的工作强调了双层石墨烯对基础研究和技术应用的重要性。
引用
@article{arxiv.1009.4669,
title = {Quantum Transport and Field Induced Insulating States in Bilayer Graphene pnp Junctions},
author = {Lei Jing and Jairo Velasco and Philip Kratz and Gang Liu and Wenzhong Bao and Marc Bockrath and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4669},
year = {2015}
}
备注
4 figures, to appear in Nano Lett. Minor typos corrected