石墨烯 p-n 结中的量子霍尔效应

我们报道了单层石墨烯 p-n 结的制备与输运研究。通过局部顶栅和全局背栅的静电门控，分别控制两个相邻区域的载流子类型和密度。文中描述了一种功能化的 Al203 氧化物，它能附着在石墨烯上且不会显著影响其电子性质。在量子霍尔区域进行的测量揭示了穿过结的双端电导出现了新的平台，其值为电导量子 $e^2/h$ 的 1 倍和 3/2 倍，这与理论一致。