量子霍尔区石墨烯$n$-$p$结:非相干散射效应的数值研究
介观与纳米尺度物理
2018-07-30 v2
摘要
我们研究高垂直磁场下量子霍尔效应区中石墨烯 - 结的电子输运,此时 掺杂与 掺杂区的填充因子分别固定为2和-2。我们以唯象方式沿界面引入非弹性效应,借助虚构电压探针,数值计算了结的电导 、噪声 与Fano因子 。利用标度方法,我们提取了系统相干长度 ,并描述了相干极限()与非相干极限()间的完整交叉,其中 为界面长度。虽然 在非相干区饱和于 ,但发现 与 在大长度 下指数衰减。我们也研究了无序引起的修正。最后将我们的结果与已有实验数据比较。
引用
@article{arxiv.1801.02235,
title = {Graphene $n$-$p$ junctions in the Quantum Hall regime: numerical study of incoherent scattering effects},
author = {Qianfan Ma and François D. Parmentier and Preden Roulleau and Geneviève Fleury},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02235},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 9 figures. Main modifications with respect to v1: extended discussion at the end of Sections V and VI, 2 news figures (Fig. 6 and inset of Fig. 9(c))