量子霍尔区中的双顶栅石墨烯晶体管
介观与纳米尺度物理
2012-03-09 v1
摘要
我们利用双顶栅几何结构研究了石墨烯场效应晶体管中电荷密度和载流子类型的局域调制效应。两个顶栅导致了多个 \emph{p-n} 结的形成。在低温及存在磁场的条件下的电子输运测量显示了各种整数和分数量化的电导平台。我们基于边缘通道的混合解释了这些结果，并发现非均匀性在定义这些平台的精确量化中起着重要作用，这一问题对于 \emph{p-n} 结的计量学应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1108.3243,
title = {Dual top gated graphene transistor in the quantum Hall regime},
author = {Ajay K. Bhat and Vibhor Singh and Sunil Patil and Mandar M. Deshmukh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3243},
year = {2012}
}
备注
4 pages, supporting information at http"//www.tifr.res.in/~nano