利用温度依赖磁输运测量石墨烯中量子化的共存电子与空穴
介观与纳米尺度物理
2013-04-04 v2
摘要
我们展示了石墨烯中电荷中性点附近的温度依赖磁输运实验，并确定了导致电子-空穴坑道形成的电势涨落幅度。实验值 meV远大于传统半导体中的值，这意味着电荷载流子的强局域化，可观测至室温。令人惊讶的是，在量子化区域，霍尔电阻率在高温下超过了最高平台值。我们通过模型计算证明，在任何共存电子与空穴的系统中，当能谱被量子化且载流子部分局域化时，这种奇特行为都是预期会出现的。
引用
@article{arxiv.1302.2014,
title = {Quantized coexisting electrons and holes in graphene measured using temperature dependent magneto-transport},
author = {E. V. Kurganova and S. Wiedmann and A. J. M. Giesbers and R. V. Gorbachev and K. S. Novoselov and M. I. Katsnelson and T. Tudorovskiy and J. C. Maan and U. Zeitler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2014},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures, corrected typo in author's name