石墨烯中电子和空穴输运的共存
介观与纳米尺度物理
2011-09-26 v2
摘要
当单层石墨烯中的载流子浓度扫过电荷中性点时，实验测量的霍尔电阻率呈现平滑的过零。利用电荷中性点附近电子和空穴共存的双组分模型，我们明确地证明了两类载流子同时存在。在高达30 T的强磁场下，电荷中性点处的电子和空穴浓度随零能朗道能级的简并度增加而增加，这暗示着在处存在一个由电子和空穴共同构成的量子霍尔金属态。
引用
@article{arxiv.1107.3929,
title = {Coexistence of electron and hole transport in graphene},
author = {S. Wiedmann and H. J. van Elferen and E. V. Kurganova and M. I. Katsnelson and A. J . M. Giesbers and A. Veligura and B. J. van Wees and R. V. Gorbachev and K. S. Novoselov and J. C. Maan and U. Zeitler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3929},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 6 figures