二维电子-空穴系统中电荷中性点附近的非局域输运
介观与纳米尺度物理
2012-06-01 v1
摘要
在同时存在电子和空穴的二维系统中，研究了非局域电阻，系统为20 nm HgTe量子阱。在垂直磁场存在下，在电荷中性点附近发现了大的非局域电响应。我们将观察到的非局域性归因于通过反向传播手征模式的边缘态输运，类似于零磁场下的量子自旋霍尔效应和朗道填充因子ν=0附近的石墨烯。
引用
@article{arxiv.1205.7070,
title = {Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system},
author = {G. M. Gusev and E. B. Olshanetsky and Z. D. Kvon and A. D. Levin and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.7070},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures