HgTe 无隙量子阱中狄拉克费米子的量子输运

我们研究了具有临界阱宽、能带隙闭合且低能谱由单一狄拉克锥描述的 HgTe 量子阱的输运性质。本工作中,我们考察了宏观与微米尺寸(介观)样品。在微米尺寸样品中,我们观察到在朗道填充因子 $\nu=0$ 处由磁场诱导的量子化电阻($\sim h/2e^{2}$),对应于以电荷中性点(CNP)为中心的螺旋边缘态的形成。在宏观样品中,近零朗道能级(LL)的电阻呈现强振荡,我们将其归因于边缘 $\nu=0$ 态与体 $\nu\neq 0$ 空穴 LL 之间的散射。我们提供了一种基于经验方法、由重空穴形成储库情景来构建 LL 图的模型。