CdHgTe 量子阱中的二维狄拉克费米子系统

我们报道了对两类量子阱,即Cd$_{0.02}$Hg$_{0.98}$Te和Cd$_{0.06}$Hg$_{0.94}$Te(厚度分别为7.4和11.5 nm)的输运与电容谱研究。Cd组分的选择使得两种量子阱均预期具有典型的狄拉克费米子系统的无带隙能带结构。我们已确定第一个量子阱表现出无质量狄拉克费米子系统,其质量略优于临界厚度的常规HgTe量子阱。第二个量子阱表现出高质量的二维拓扑绝缘体态,其能隙约为10 meV并具有明确的边缘输运,使其成为进一步研究和应用拓扑绝缘体的良好候选。