基于 HgTe 的拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2020-12-29 v1
摘要
本文综述了基于 HgTe 量子阱和薄膜的二维与三维拓扑绝缘体（TIs）研究中获得的最引人关注的实验结果。对于二维 TIs，包括非局域弹道与扩散输运的观测、二维 TIs 的磁击穿以及边缘通道电阻的反常温度依赖。在三维 TIs 中，实现了表面二维狄拉克费米子（DFs）创纪录的高迁移率。这使得确定所有主要 TI 参数（体带隙及两个表面的 DF 密度）成为可能，并提供了关于 DF 的 Shubnikov-de Haas 振荡相位的信息，表明费米子自旋与动量之间刚性的拓扑耦合。结论部分讨论了进一步研究的前景。
引用
@article{arxiv.2012.13738,
title = {Topological insulators based on HgTe},
author = {Z. D. Kvon and D. A. Kozlov and E. B. Olshanetsky and G. M. Gusev and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.13738},
year = {2020}
}
备注
18 pages, 24 figures