拓扑绝缘体与热电材料
材料科学
2012-12-03 v2
摘要
拓扑绝缘体 (TIs) 是一种新的物质量子态，其在体能隙内具有无间隙的表面态。自从发现基于 HgTe 的量子阱这一二维拓扑绝缘体以来，许多新的拓扑材料已在理论上被预测并在实验中被观测到。目前已知的拓扑绝缘体材料大致可分为两类：HgTe 族和 Bi2Se 族。在拓扑绝缘体电子结构中发现的特征也使得这些材料成为优异的热电材料。另一方面，优异的热电材料也可能是拓扑平庸的。本文简要介绍了拓扑绝缘体和热电材料，并举例说明了同时具备良好热电性能和拓扑绝缘体特性的化合物类别。
引用
@article{arxiv.1209.6097,
title = {Topological insulators and thermoelectric materials},
author = {Lukas Müchler and Frederick Casper and Binghai Yan and Stanislav Chadov and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.6097},
year = {2012}
}
备注
Phys. Status Solidi RRL, accepted