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室温下的拓扑绝缘体

介观与纳米尺度物理 2008-12-10 v1 材料科学

摘要

拓扑绝缘体是一类新的量子物态,其表面态受时间反演对称性保护。在本工作中,我们对 Sb2Te3Sb_2Te_3Sb2Se3Sb_2Se_3Bi2Te3Bi_2Te_3Bi2Se3Bi_2Se_3 晶体进行了第一性原理电子结构计算。我们的计算预言 Sb2Te3Sb_2Te_3Bi2Te3Bi_2Te_3Bi2Se3Bi_2Se_3 是拓扑绝缘体,而 Sb2Se3Sb_2Se_3 不是。特别是,Bi2Se3Bi_2Se_3 具有 0.3eV0.3 eV 的拓扑非平庸能隙,适合于室温应用。我们提出了一个简单且统一的连续介质模型,该模型捕捉了这类材料的显著拓扑特征。这些拓扑绝缘体具有由 Γ\Gamma 点处的单个 Dirac 锥组成的稳健表面态。

关键词

引用

@article{arxiv.0812.1622,
  title  = {Topological Insulators at Room Temperature},
  author = {Haijun Zhang and Chao-Xing Liu and Xiao-Liang Qi and Xi Dai and Zhong Fang and Shou-Cheng Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0812.1622},
  year   = {2008}
}

备注

5 pages, 4 figures