菱方相 Sb2Se3 也是一种本征拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2018-03-07 v2
摘要
拓扑绝缘体是一类新型量子材料，其体相具有绝缘能隙，但在边界处表现出受时间反演对称性保护的无能隙边缘态或表面态。理论预测和实验均已证实，二元四方硫族化合物 Bi2Te3、Bi2Se3 和 Sb2Te3 是三维拓扑绝缘体。在本工作中，我们通过第一性原理方法证明，此前被忽略的 Sb2Se3，尽管其自旋轨道耦合强度相对较小，只要在计算中明确包含范德华相互作用，同样可以表现出拓扑保护的表面态，且体相能隙为 0.19 eV。对 Sb2Se3 薄膜能带结构的详细分析表明，非平庸表面态在六个五层原胞的临界厚度下出现。
引用
@article{arxiv.1607.05911,
title = {The rhombohedral Sb2Se3 is also an intrinsic topological insulator},
author = {G. H. Cao and H. J. Liu and J. H. Liang and L. Cheng and D. D. Fan and Z. Y. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05911},
year = {2018}
}