三维强拓扑绝缘体的第一性原理研究：Bi2Te3、Bi2Se3和Sb2Te3
材料科学
2010-08-25 v1
摘要
Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3化合物最近被预测为三维强拓扑绝缘体。在本文中，基于从头计算，我们详细研究了这一家族化合物的拓扑性质和表面态。我们将分析表面态的穿透深度和自旋分辨费米面。我们还将提出一个程序，基于投影原子瓦尼尔函数（保持系统的对称性），可以构建高精度的有效哈密顿量。该哈密顿量可用于高效研究半无限系统或板状超胞。最后，我们讨论了Sb2(Te1-xSex)3合金系统中的三维拓扑相变。
引用
@article{arxiv.1003.5082,
title = {First Principles Studies on 3-Dimentional Strong Topological Insulators: Bi2Te3, Bi2Se3 and Sb2Te3},
author = {Wei Zhang and Rui Yu and Hai-Jun Zhang and Xi Dai and Zhong Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5082},
year = {2010}
}
备注
8 pages,17 figures