Bi-Bi$_2$Se$_3$无限自适应超晶格相中的拓扑绝缘体

T. Valla; Huiwen Ji; L. M. Schoop; A. P. Weber; Z. -H. Pan; J. T. Sadowski; E. Vescovo; A. V. Fedorov; A. N. Caruso; Q. D. Gibson; L. Muchler; C. Felser; R. J. Cava

doi:10.1103/PhysRevB.86.241101

Bi-Bi$_2$Se$_3$无限自适应超晶格相中的拓扑绝缘体

材料科学 2013-07-04 v2 强关联电子

作者: T. Valla , Huiwen Ji , L. M. Schoop , A. P. Weber , Z. -H. Pan , J. T. Sadowski , E. Vescovo , A. V. Fedorov , A. N. Caruso , Q. D. Gibson , L. Muchler , C. Felser , R. J. Cava

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摘要

我们报道了元素Bi与Bi $_2$ Se $_3$ 之间无限自适应系列中拓扑绝缘体的自旋和角分辨光电子能谱研究。该化合物基于Bi $_4$ Se $_3$ ，是交替的Bi $_2$ 层和Bi $_2$ Se $_3$ 层的1:1天然超晶格；加入S可以生长大晶体，化学式为Bi $_4$ Se $_{2.6}$ S $_{0.4}$ 。晶体沿Bi $_2$ 和Bi $_2$ Se $_3$ 层之间的界面解理，获得的表面具有交替的Bi或Se终止。通过光电子发射显微镜观察到的所得台阶，为研究一维拓扑物理提供了合适的途径。通过自旋和角分辨光电子能谱确定的电子结构显示存在一个表面态，该表面态在表面布里渊区的 $\Gamma$ 点周围形成一个大的六边形费米面，其自旋结构表明该材料是拓扑绝缘体。

关键词

拓扑绝缘体 Bi-Bi2Se3超晶格自旋分辨光电子能谱表面态费米面自旋结构

引用

@article{arxiv.1208.2741,
  title  = {Topological insulator in a Bi-Bi$_2$Se$_3$ infinitely adaptive superlattice phase},
  author = {T. Valla and Huiwen Ji and L. M. Schoop and A. P. Weber and Z. -H. Pan and J. T. Sadowski and E. Vescovo and A. V. Fedorov and A. N. Caruso and Q. D. Gibson and L. Muchler and C. Felser and R. J. Cava},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1208.2741},
  year   = {2013}
}

备注

published version, 5 pages, 4 figures

Bi-Bi$_2$Se$_3$无限自适应超晶格相中的拓扑绝缘体

摘要

关键词

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