通过 Bi 覆盖层调控拓扑绝缘体的表面态
介观与纳米尺度物理
2014-12-05 v1
摘要
我们引入了一种独特的方法来工程化拓扑绝缘体的拓扑保护表面态。通过在拓扑绝缘体 Bi2Te2Se 表面覆盖一层 Bi 单分子膜，原始表面态被完全移除，并通过强电子杂化涌现出三个源自 Bi 薄膜的新自旋螺旋表面态，它们具有不同的色散和自旋极化。这些新态起到了拓扑表面态的作用，同时保持了体态的拓扑性质完整无损。该机制提供了一种在单一拓扑绝缘体上创建各种不同类型拓扑保护电子通道的方法，这些通道可能具有针对各种应用量身定制的特性。
引用
@article{arxiv.1411.4560,
title = {Transforming a Surface State of Topological Insulator by a Bi Capping Layer},
author = {Han Woong Yeom and Sung Hwan Kim and Woo Jong Shin and Kyung-Hwan Jin and Joonbum Park and Tae-Hwan Kim and Jun Sung Kim and Hirotaka Ishikawa and Kazuyuki Sakamoto and Seung-Hoon Jhi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.4560},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures