本征绝缘 Bi$_2$Te$_3$ 拓扑表面态的保护性覆盖

Katharina Höfer; Christoph Becker; Steffen Wirth; Liu Hao Tjeng

doi:10.1063/1.4931038

本征绝缘 Bi$_2$Te$_3$ 拓扑表面态的保护性覆盖

材料科学 2017-04-04 v2

作者: Katharina Höfer , Christoph Becker , Steffen Wirth , Liu Hao Tjeng

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摘要

我们已经确定外延生长的元素 Te 是一种适用于保护本征绝缘 Bi $_2$ Te $_3$ 拓扑表面态的覆盖材料。利用角分辨光电子能谱，我们能够证明 Te 覆盖层保持表面态的色散能带完整，并且不改变 Bi $_2$ Te $_3$ 薄膜的化学势。通过原位四点接触测量，我们观察到覆盖后薄膜的电导仍主要由金属性表面态决定，且覆盖层的贡献很小。此外，即使在覆盖薄膜暴露于空气后，Te 覆盖层也可在真空中退火去除，从而产生洁净的、处于原始状态的 Bi $_2$ Te $_3$ 表面。我们的发现将有助于对具有非平凡拓扑的 Bi $_2$ Te $_3$ 表面态性质进行明确且可靠的离位实验。

关键词

拓扑表面态 Bi2Te3 覆盖层元素碲角分辨光电子能谱离位实验非平凡拓扑

引用

@article{arxiv.1506.06598,
  title  = {Protective capping of topological surface states of intrinsically insulating Bi$_2$Te$_3$},
  author = {Katharina Höfer and Christoph Becker and Steffen Wirth and Liu Hao Tjeng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.06598},
  year   = {2017}
}

备注

5 pages, 5 figures, 2 pages supplemental material accepted for publication in AIP Advances

本征绝缘 Bi$_2$Te$_3$ 拓扑表面态的保护性覆盖

摘要

关键词

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备注

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