拓扑绝缘体 Bi2Te3 的稳健表面电子性质：分子束外延生长的薄膜
材料科学
2015-05-27 v2 量子气体
强关联电子
摘要
本文表明，重要拓扑绝缘体 Bi2Te3 的表面电子性质在经过扩展的表面制备过程后依然稳健，该过程包括暴露于大气中，随后在超高真空条件下通过优化的原位溅射-退火程序进行清洁和再结晶。所得样品的高分辨率角分辨光电子能谱显示出清晰的狄拉克锥特征，表明拓扑表面态对清洁引起的表面粗糙度具有显著的不敏感性。
引用
@article{arxiv.1103.4548,
title = {Robust surface electronic properties of topological insulators: Bi2Te3 films grown by molecular beam epitaxy},
author = {L. Plucinski and G. Mussler and J. Krumrain and S. Suga and D. Gruetzmacher and C. M. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4548},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 3 figures