清洁和吸附物覆盖的Bi2Se3的电子结构：角分辨光电子能谱研究
材料科学
2015-06-05 v1 强关联电子
摘要
利用角分辨光电子能谱对拓扑绝缘体Bi2Se3的电子结构进行了详细研究。研究了名义化学计量比和钙掺杂的样品。原始表面在体带隙中显示出拓扑表面态。随着时间的推移，狄拉克点移动到更高的结合能，表明表面附近能带向下弯曲越来越强。这种随时间变化的能带弯曲与表面污染有关，并且可以通过有意将表面暴露于一氧化碳和其他物种来加速。对于足够强的能带弯曲，费米能级处出现额外的态。这些态被解释为量子化的导带态。对于大的能带弯曲，发现这些态经历强烈的Rashba劈裂。还观察到价带态的量子阱态的形成。还讨论了对类似数据的不同解释。
引用
@article{arxiv.1206.1563,
title = {The electronic structure of clean and adsorbate-covered Bi2Se3: an angle-resolved photoemission study},
author = {Marco Bianchi and Richard C. Hatch and Dandan Guan and Tilo Planke and Jianli Mi and Bo Brummerstedt Iversen and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1563},
year = {2015}
}
备注
30 pages, 10 figures