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通过角分辨光电子能谱确定的 Sb$_2$Te$_3$ 体带结构

材料科学 2021-12-15 v1

摘要

利用角分辨光电子能谱研究了拓扑绝缘体 \sbte~ 的体带结构。特别令人关注的是最上价带相对于拓扑表面态 Dirac 点的色散关系。价带顶经计算位于布里渊区中心附近,或位于 ΓˉMˉ\bar{\Gamma}-\bar{M} 方位角方向上的低对称位置。为观测价带的完整能量范围,通过表面碱金属吸附对强 p 型晶体进行反掺杂。数据显示,绝对价带顶很可能位于体 Γ\Gamma 点,且关于低对称位置能量高于表面 Dirac 点的预测可被排除。

关键词

引用

@article{arxiv.2109.01891,
  title  = {Bulk band structure of Sb$_2$Te$_3$ determined by angle-resolved photoemission spectroscopy},
  author = {Henriette E. Lund and Klara Volckaert and Paulina Majchrzak and Alfred J. H. Jones and Marco Bianchi and Martin Bremholm and Philip Hofmann},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01891},
  year   = {2021}
}

备注

6 pages, 4 figures